{
    "url": "https://mhesi.nrct.go.th/archives/s/mhesi_archives/item/6459",
    "o:resource_class": "dctype:Text",
    "dcterms:title": [
        "การศึกษาปลูกผลึกเอพิแท็กซีของแกลเลียมอาเซไนด์"
    ],
    "dcterms:creator": [
        "บรรยง โตประเสริฐพงศ์\nเกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล"
    ],
    "dcterms:subject": [
        "แกลเลียมอาร์เซไนด์\nสารกึ่งตัวนำ\nวัสดุศาสตร์"
    ],
    "dcterms:description": [
        "เอพิแทกซี (Epitaxy) มีรากศัพท์มาจากภาษากรีกว่า “Epi” + “taxis” ซึ่งแปลว่า “การเรียงตัวขึ้นบน” หมายความว่า การปลูกชั้นผลึกเดี่ยวบาง ๆ บนซับสเตรตผลึกเดี่ยว โดยที่อะตอม ในชั้นที่ปลูกขึ้นเลียนแบบการจัดตัวของอะตอมซับสเตรต แม้ว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธีเอพิแทกซี่จะ ให้อัตราการเติบโตของผลึกช้ากว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธี Bulk growth แต่ก็มีข้อดีในแง่การทําสิ่ง ประดิษฐ์สารกึ่งตัวนําคือ การปลูกผลึกด้วยวิธีเอพิแท็กซี่มักจะกระทําที่อุณหภูมิต่ํา ความสมบูรณ์และ ความบริสุทธิ์ของชั้นที่ปลูกจึงเหนือกว่าวิธี Bulk growth ซึ่งทําที่อุณหภูมิสูง วิธีเอพิแทกซี่ใช้ปลูกชั้น โลหะผสม (alloy) ซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงสัดส่วนขององค์ประกอบเมื่อหลอมเหลวหรือกลายเป็นไอ ซึ่งถ้าปลูก ก้อนผลึกโดยวิธี Bulk growth จะได้ก้อนผลึกที่มีสัดส่วนขององค์ประกอบแปรเปลี่ยนในทิศทางการเกิดผลึกจะเห็นว่าเอพิแทกซีนี้ใช้ปลูกชั้นผลึกของสารกึ่งตัวนําทั้งแบบมูลฐานและแบบสารประกอบ เช่น ซิลิคอน (Silicon, Si) และแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ซึ่งสามารถควบคุมความสมบูรณ์ของผลึก ความบริสุทธิ์ ของผลึก และระดับการใส่สารเจือปน (doping) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นเทคนิคในการปลูกโลหะผสมถึง ตัวนําที่มีหลายธาตุ เช่น GaAs XP และ Ga-Al AsX เป็นต้น"
    ],
    "dcterms:publisher": [
        "สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ"
    ],
    "dcterms:date": [
        "1989"
    ],
    "dcterms:type": [
        "Text"
    ],
    "dcterms:format": [
        "pdf"
    ],
    "dcterms:source": [
        "วารสารสำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ ปีที่ 21 เล่มที่ 1 มกราคม-มิถุนายน 2532, 29-44\nสำนักบรรณสารการพัฒนา สถาบันบัณฑิตพัฒนบริหารศาสตร์"
    ],
    "dcterms:language": [
        "th\nen"
    ],
    "dcterms:coverage": [
        "สื่อและเอกสารเผยแพร่"
    ],
    "dcterms:rights": [
        "เอกสารนี้เป็นการเข้าถึงแบบเปิด ใช้แบ่งปันและใช้งานภายใต้เงื่อนไขของใบอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์ได้"
    ],
    "dcterms:alternative": [
        "Study on Epitaxy Growth of GaAs"
    ],
    "dcterms:created": [
        "2025-05-31"
    ],
    "dcterms:extent": [
        "25 แผ่น"
    ],
    "dcterms:accessRights": [
        "เอกสารนี้ใช้สัญญาอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์แบบ แสดงที่มา-ไม่ใช้เพื่อการค้า-ไม่ดัดแปลง 4.0 ประเทศไทย (CC BY-NC-ND 4.0)"
    ],
    "dcterms:license": [
        "เอกสารนี้ใช้สัญญาอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์ 4.0 ประเทศไทย"
    ],
    "dcterms:rightsHolder": [
        "กระทรวงการอุดมศึกษา วิทยาศาสตร์ วิจัย และนวัตกรรม"
    ]
},