Url https://mhesi.nrct.go.th/archives/s/mhesi_archives/item/6459 Resource class dctype:Text Title การศึกษาปลูกผลึกเอพิแท็กซีของแกลเลียมอาเซไนด์ Creator บรรยง โตประเสริฐพงศ์ เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล Subject แกลเลียมอาร์เซไนด์ สารกึ่งตัวนำ วัสดุศาสตร์ Description เอพิแทกซี (Epitaxy) มีรากศัพท์มาจากภาษากรีกว่า “Epi” + “taxis” ซึ่งแปลว่า “การเรียงตัวขึ้นบน” หมายความว่า การปลูกชั้นผลึกเดี่ยวบาง ๆ บนซับสเตรตผลึกเดี่ยว โดยที่อะตอม ในชั้นที่ปลูกขึ้นเลียนแบบการจัดตัวของอะตอมซับสเตรต แม้ว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธีเอพิแทกซี่จะ ให้อัตราการเติบโตของผลึกช้ากว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธี Bulk growth แต่ก็มีข้อดีในแง่การทําสิ่ง ประดิษฐ์สารกึ่งตัวนําคือ การปลูกผลึกด้วยวิธีเอพิแท็กซี่มักจะกระทําที่อุณหภูมิต่ํา ความสมบูรณ์และ ความบริสุทธิ์ของชั้นที่ปลูกจึงเหนือกว่าวิธี Bulk growth ซึ่งทําที่อุณหภูมิสูง วิธีเอพิแทกซี่ใช้ปลูกชั้น โลหะผสม (alloy) ซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงสัดส่วนขององค์ประกอบเมื่อหลอมเหลวหรือกลายเป็นไอ ซึ่งถ้าปลูก ก้อนผลึกโดยวิธี Bulk growth จะได้ก้อนผลึกที่มีสัดส่วนขององค์ประกอบแปรเปลี่ยนในทิศทางการเกิดผลึกจะเห็นว่าเอพิแทกซีนี้ใช้ปลูกชั้นผลึกของสารกึ่งตัวนําทั้งแบบมูลฐานและแบบสารประกอบ เช่น ซิลิคอน (Silicon, Si) และแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ซึ่งสามารถควบคุมความสมบูรณ์ของผลึก ความบริสุทธิ์ ของผลึก และระดับการใส่สารเจือปน (doping) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นเทคนิคในการปลูกโลหะผสมถึง ตัวนําที่มีหลายธาตุ เช่น GaAs XP และ Ga-Al AsX เป็นต้น Publisher สำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ Date 1989 Type Text Format pdf Source วารสารสำนักงานคณะกรรมการวิจัยแห่งชาติ ปีที่ 21 เล่มที่ 1 มกราคม-มิถุนายน 2532, 29-44 สำนักบรรณสารการพัฒนา สถาบันบัณฑิตพัฒนบริหารศาสตร์ Language th en Coverage สื่อและเอกสารเผยแพร่ Rights เอกสารนี้เป็นการเข้าถึงแบบเปิด ใช้แบ่งปันและใช้งานภายใต้เงื่อนไขของใบอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์ได้ Alternative Title Study on Epitaxy Growth of GaAs Date Created 2025-05-31 Extent 25 แผ่น Access Rights เอกสารนี้ใช้สัญญาอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์แบบ แสดงที่มา-ไม่ใช้เพื่อการค้า-ไม่ดัดแปลง 4.0 ประเทศไทย (CC BY-NC-ND 4.0) License เอกสารนี้ใช้สัญญาอนุญาตครีเอทีฟคอมมอนส์ 4.0 ประเทศไทย Rights Holder กระทรวงการอุดมศึกษา วิทยาศาสตร์ วิจัย และนวัตกรรม --