Items

• 
  การศึกษาปลูกผลึกเอพิแท็กซีของแกลเลียมอาเซไนด์

  เอพิแทกซี (Epitaxy) มีรากศัพท์มาจากภาษากรีกว่า “Epi” + “taxis” ซึ่งแปลว่า “การเรียงตัวขึ้นบน” หมายความว่า การปลูกชั้นผลึกเดี่ยวบาง ๆ บนซับสเตรตผลึกเดี่ยว โดยที่อะตอม ในชั้นที่ปลูกขึ้นเลียนแบบการจัดตัวของอะตอมซับสเตรต แม้ว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธีเอพิแทกซี่จะ ให้อัตราการเติบโตของผลึกช้ากว่าการปลูกผลึกเดี่ยวโดยวิธี Bulk growth แต่ก็มีข้อดีในแง่การทําสิ่ง ประดิษฐ์สารกึ่งตัวนําคือ การปลูกผลึกด้วยวิธีเอพิแท็กซี่มักจะกระทําที่อุณหภูมิต่ํา ความสมบูรณ์และ ความบริสุทธิ์ของชั้นที่ปลูกจึงเหนือกว่าวิธี Bulk growth ซึ่งทําที่อุณหภูมิสูง วิธีเอพิแทกซี่ใช้ปลูกชั้น โลหะผสม (alloy) ซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงสัดส่วนขององค์ประกอบเมื่อหลอมเหลวหรือกลายเป็นไอ ซึ่งถ้าปลูก ก้อนผลึกโดยวิธี Bulk growth จะได้ก้อนผลึกที่มีสัดส่วนขององค์ประกอบแปรเปลี่ยนในทิศทางการเกิดผลึกจะเห็นว่าเอพิแทกซีนี้ใช้ปลูกชั้นผลึกของสารกึ่งตัวนําทั้งแบบมูลฐานและแบบสารประกอบ เช่น ซิลิคอน (Silicon, Si) และแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ซึ่งสามารถควบคุมความสมบูรณ์ของผลึก ความบริสุทธิ์ ของผลึก และระดับการใส่สารเจือปน (doping) โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นเทคนิคในการปลูกโลหะผสมถึง ตัวนําที่มีหลายธาตุ เช่น GaAs XP และ Ga-Al AsX เป็นต้น